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Electrical Speci?cation
TC
= 25
oC, Unless Otherwise Speci?ed
SYMBOL
TEST CONDITION
RHRG3040
RHRG3060
UNIT
MIN TYP MAX MIN TYP MAX
VF
-
- 2.1 -
- 2.1
V
-
- 1.7 -
-
1.7
V
IR
-
- 250 -
-
-
μA
-----250μA
-- 1.0---mA
-----1.0mA
trr
- -40-
-40ns
- -45-
-45ns
ta
- 22 -
- 22
- ns
tb
- 18 -
- 18
- ns
Qrr
- 100 -
- 100 - nC
CJ
IF
= 30
A
IF
= 30
A, TC
= 150oC
VR
= 400
V
VR
= 600
V
VR
= 400
V, TC
= 150oC
VR
= 600
V, TC
= 150oC
IF
= 1
A, dIF/dt = 200
A/μs
IF
= 30
A, dIF/dt = 200
A/μs
IF
= 30
A, dIF/dt = 200
A/μs
IF
= 30
A, dIF/dt = 200
A/μs
IF
= 30
A, dIF/dt = 200
A/μs
VR
= 10
V, IF
=
A
0
-85- -85- pF
RθJC
-
- 1.2 -
- 1.2
oC/W
DEFINITIONS
VF
= Instantaneous forward voltage (pw = 300
μs, D = 2%).
IR
= Instantaneous reverse current.
Trr
= Reverse recovery time (See Figure 9), summation of ta
+ tb.
ta
= Time to reach peak reverse current (See Figure 9).
tb
= Time from peak IRM
to projected zero crossing of IRM
based on a straight line from peak IRM
through 25% of IRM
(See Figure 9).
Qrr
= Reverse recovery charge.
CJ
= Junction Capacitance.
RθJC
= Thermal resistance junction to case.
pw = Pulse width.
D = Duty cycle.
Typical Performance Curves
FIGURE 1.
FORWARD CURRENT vs FORWARD VOLTAGE
FIGURE 2. REVERSE CURRENT vs REVERSE VOLTAGE
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
I
F
, FORWARD CURRENT (A)
1
01234
100
10
300
100oC
25oC
175oC
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
0.01
0
200
400
600
300
500
2000
0.1
100
10
I
R
, REVERSE CURRENT (
μ
A)
100
100oC
175oC
1
25oC
RHRG3040, RHRG3060
www.fairchildsemi.com
2
?2001
Fairchild
Semiconductor Corporation
RHRG3040, RHRG3060
Rev. C1
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